SSD 512GB SAMSUNG 970 PRO M.2 PCIE LACRADO EM BRASIL

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Produto: Samsung: SSD 512GB SAMSUNG 970 PRO M.2 2280 PCIe Gen3. X4 NVMe 1.3 64L V-NAND MLC (TOP DE LINHA - MELHOR PERFORMANCE ENTRE OS SSDs ATUAIS) PRODUTO ORIGINAL LACRADO. O SSD que vai além Experimente o melhor. Para cargas de trabalho intensivas em PCs e estações de trabalho, o 970 PRO oferece o melhor desempenho com a liderança da NVMe SSD da Samsung. A mais recente tecnologia V-NAND e o novo controlador Phoenix em formato compacto M.2 (2280) atendem às necessidades dos entusiastas e profissionais de tecnologia mais exigentes. Desempenho Destemido Desempenho que coloca você no comando. O 970 PRO combina a próxima geração da interface PCIe Gen 3x4 NVMe com a mais recente tecnologia V-NAND e um recém-aprimorado controlador Phoenix para alcançar velocidades de leitura / gravação até 3.500 / 2.700 MB / s, aproximadamente 30% mais rápido que geração anterior. Resistência Excepcional Obtenha o melhor desempenho sustentável. O 970 PRO oferece até 1.200 TBW, alcançando uma durabilidade 50% maior do que a geração anterior, tudo com a mais recente tecnologia V-NAND. Confiabilidade Incomparável Alcance um novo nível de confiança no drive. O controlador avançado de níquel e o dissipador de calor da Samsung no 970 PRO permitem uma dissipação de calor superior. O Dynamic Thermal Guard monitora e mantém automaticamente as temperaturas operacionais ideais para minimizar quedas de desempenho. Samsung Magician Gerenciamento avançado de drives simplificado. O software Samsung Magician ajudará você a ficar de olho no seu disco. Um conjunto de ferramentas fáceis de usar ajuda a manter sua unidade atualizada, monitorar a integridade e a velocidade da unidade e até mesmo aumentar o desempenho. Especificações: Interface: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 Capacidade: 512 GB Fator de Forma: M.2 2280 Velocidade de leitura sequencial: 3.500 MB/ s Velocidade de gravação Sequencial: 2.300 MB/ s Leitura aleatória (4KB, QD32): 370.000 IOPS Gravação aleatória (4KB, QD32): 500.000 IOPS Endurance: 600 TBW Controlador: Samsung Phoenix Controller Flash NAND: MLC de 2 bits Samsung V-NAND Criptografia AES: 256 bits (Classe 0) TCG / Opal IEEE1667 (Unidade Criptografada) Suporte SMART: Suportado Indicado para Notebooks, Desktops e Ultrabooks Características Gerais Velocidade Leitura: 3500 MB/s Velocidade Escrita: 2300 MB/s 4Kb Random Leitura: 370,000 IOPS 4Kb Random Escrita: 500,000 IOPS Endurançe: 600 TBW

4,00/5

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